项目

尺寸

128MB-1GB 8(L)*6.2(W)*0.8(H) mm

2GB/4GB 8(L)*6.2(W)*0.8(H) mm

15mm(L)*11(W)*1(H)mm

容量

128MB/256MB/512MB/1GB/2GB/4GB

64MB to 256GB

连接稳定性

与设备之间为固定连接（SMT表面贴装技术），即便连接处表面的焊锡氧化也不会导致内部接触不良，产品失效率极低。

与设备之间为接触连接（金手指和弹片），接触点容易氧化，造成接触不良，进而导致产品失效。

Flash Wafer

EMSD使用的flash wafer为工业级别，经过原厂严格测试，MTBF通常大于1,000,000小时。

MicroSD使用的flash wafer为商业级别，原厂仅做过基本测试，MTBF不做任何承诺。

封装工艺

标准LGA IC封装，封装使用的环氧树脂及金线可承受260℃以上的温度冲击，产品的直通不良率及失效率都很低。

外接式卡类封装，可以使用铜线或铝线，直通不良率及失效率都相对较高。

数据传输

LGA封装，数据pin与存储芯片之间的距离更短，有利于数据传输的速率及稳定性；

必须透过connector与卡连接，数据传输线路更长，速率和稳定性相对较低；

Host端设计及成本

只需预留8*6mm左右的元件位，结构简单，布局紧凑，成本较低。

必须提供至少11*15的MicroSD位置及读卡器卡座部分，结构复杂，空间占用较大，成本高。